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techon.nikkeibp.co.jp IGZOの課題克服へ、ニコンが新材料で高耐久性TFTを開発

「第78回 応用物理学会 秋季学術講演会」(2017年9月5~8日、福岡)では、合同セッションKで「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」が9月6日に開催された。今回は、その中から、ニコンの講演「スピネル型 ZnGa2O4を用いた高耐久性薄膜トランジスタの開発」の概要を報告する。
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